Новости компании

ВНИМАНИЕ! НАШ ОФИС ПЕРЕЕЗЖАЕТ

С 23.04.12 мы будем находится по адресу: Москва Колодезный пер. д.2а, стр.1, офис 205!

 
MIPS2012

Уважаемые партнеры и клиенты!

Приглашаем посетить наш стенд на выставке MIPS2012 "Охрана, безопасность и противопожарная защита"
проходящей в Москве в ЦВК "Экспоцентр" с 24-27 апреля 2012 года, павильон 8 (зал 2), стенд В 043
Получить бесплатный электронный билет: http://mips.ru/home/visiting/e-ticket.aspx

 
Термоусаживаемые наборы

В ассортименте Нашей компании появились термоусаживаемые наборы для монтажа концевых и соединительных муфт, расчитанных на напряжение до 1000 Вольт (1кВольт). Наборы для монтажа муфт не включают в себя металлические кабельные наконечники и заземляющие оплётки.

Подробнее ...
 

Режим Работы

ПН - ЧТ  с 9.00 до 18.00
Пятница с 9.00 до 17.00
СБ, ВС - Выходные дни
Обед с 13.00 до 14.00

Каталог Термоусадочные трубки Термоусаживаемые трубки для энергетики WRSBG (Semi-Conductive) - cпец. высоковольтная полупроводниковая термоусаживаемая трубка для восстановления экрана кабелей

WRSBG (Semi-Conductive) - cпец. высоковольтная полупроводниковая термоусаживаемая трубка для восстановления экрана кабелей

TCT Semiconductive - Специальная термоусаживаемая трубка с полупроводниковыми свойствами.

Производится в КНР на заводах компании WOER®

Марка по каталогу производителя: WRSBG

Специальная полупроводниковая трубка для восстановления и улучшения полупроводникового экрана высоковольтных кабелей и и сглаживания напряженности электрического поля в местах соединения жил. Изготавливается из полимера на основе полиолефинов с добавлением специальных добавок, а так же частичек очищенной углеродной сажи для придания материалу электропроводности.

Стандартный цвет: черный. Коэффициент усадки трубки более 2:1.


Таблица 1. Технические характеристики трубок TCT Semiconductive

Свойство Метод испытания Стандартные значения
Рабочая температура IEC 216 от -40о С до +100 оС
Температура усадки - от +110о С до +130 оС
Прочность на растяжение, МПа ASTM D 638 > 14,0
Удлинение до разрыва, % ASTM D 638 > 300
Прочность на растяжение после термического воздействия, МПа ASTM D2671 (+120 оС x 168 часов) > 12
Удлинение до разрыва после термического воздействия, % ASTM D2671 (+120 оС x 168 часов) > 240
Продольная усадка, % UL 224 < 15%
Объемное электрическое сопротивление IEC 93 1 х 103 Ом х см
Водопоглощение, % ISO 62 < 0,1
Эксцентриситет (неравномерность) ASTM D 2671 < 30%
Коэффициент усадки - > 2:1


Таблица 2. Размеры трубок TCT Semiconductive

Название Диаметр Толщина стенки после усадки, мм Стандартная длина, мм
До усадки, мм минимум После усадки, мм максимум
TCT Semiconductive 45/18 45 18 2.4 +/- 0.1 400 - 1200
TCT Semiconductive 50/20 50 20 2.4 +/- 0.1 400 - 1200
TCT Semiconductive 55/23 55 23 2.4 +/- 0.1 400 - 1200
TCT Semiconductive 65/26 65 26 2.4 +/- 0.1 400 - 1200
TCT Semiconductive 100/30 100 30 2.9 +/- 0.1 400 - 1200
TCT Semiconductive 120/35 120 35 2.9 +/- 0.1 400 - 1200